在掃描電鏡（SEM）中，蒸發(fā)鍍膜是一種常用的方法，用于在非導(dǎo)電樣品表面形成導(dǎo)電涂層，以提高樣品的導(dǎo)電性，以便在SEM觀察期間獲得更好的圖像質(zhì)量和信號(hào)。

下面是一般情況下的蒸發(fā)鍍膜步驟：

準(zhǔn)備樣品：選擇要進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜的樣品，并確保樣品表面干凈，無(wú)灰塵和污染物。

準(zhǔn)備蒸發(fā)鍍膜設(shè)備：將蒸發(fā)鍍膜設(shè)備準(zhǔn)備好，包括真空腔室、蒸發(fā)源、樣品支撐架等。

放置樣品：將樣品放置在樣品支撐架上，并確保樣品與蒸發(fā)源之間的距離適當(dāng)。

真空抽氣：?jiǎn)?dòng)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備并進(jìn)行真空抽氣，以減少環(huán)境中的氣體分子和水分。

加熱蒸發(fā)源：根據(jù)所選擇的蒸發(fā)材料（如金屬），使用適當(dāng)?shù)募訜岱绞剑ɡ珉娮杓訜峄螂娮邮訜幔┘訜嵴舭l(fā)源，使其達(dá)到蒸發(fā)溫度。

蒸發(fā)鍍膜：一旦蒸發(fā)源達(dá)到蒸發(fā)溫度，開(kāi)始蒸發(fā)過(guò)程。蒸發(fā)的材料會(huì)以氣態(tài)形式沉積在樣品表面上，形成導(dǎo)電涂層。

控制蒸發(fā)時(shí)間和厚度：控制蒸發(fā)時(shí)間來(lái)控制涂層的厚度。通常，蒸發(fā)時(shí)間的控制可以通過(guò)調(diào)節(jié)蒸發(fā)源的加熱時(shí)間或者控制蒸發(fā)源的電流或功率來(lái)實(shí)現(xiàn)。

冷卻和凝固：在蒸發(fā)完成后，關(guān)閉蒸發(fā)源的加熱，并等待樣品和涂層冷卻和凝固。確保涂層完全固化后再處理樣品。

請(qǐng)注意，具體的蒸發(fā)鍍膜步驟可能因不同的蒸發(fā)設(shè)備和材料而有所不同。在進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜之前，建議閱讀蒸發(fā)設(shè)備的操作手冊(cè)，并遵循手冊(cè)中的指導(dǎo)進(jìn)行操作。另外，根據(jù)您的樣品類型和SEM的要求，選擇合適的蒸發(fā)材料（如金、鉑、銀、碳等）來(lái)制備導(dǎo)電涂層。

ZEM18臺(tái)式掃描電鏡

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